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参数资料
| 型号： | MRFE6S9135HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 442K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 940MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 39W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?70
?10
1 10010
?40
?50
?30
?20
?60
7th Order
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, f1 = 935 MHz
f2 = 945 MHz, Two?Tone Measurements
5th Order
3rd Order
400
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO?TONE SPACING (MHz)
1 10010
?60
IM3?U
?10
?30
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?40
?20
IM5?U
IM5?L
IM7?L
0
Figure 9. Output Peak-to-Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
?1
?3
?5
30
Actual
Ideal
0
?2
?4
OUTPUT COMPRESSION AT THE 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
20
40 50
100
25
55
50
45
40
35
30
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
?1 dB = 38.71 W
60 8070
?2 dB = 54.21 W
?3 dB = 85.92 W
300
f = 940 MHz
16 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1000 mA
TC
= ?30
C
25C
60
85C
10
23
22
21
20
19
C
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
?30C
25C
85
18
17
1
70
?50
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 160 W (PEP)
IDQ
= 1000 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 940 MHz
IM7?U
IM3?L
90
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
28 V
IDQ
= 1000 mA
f = 940 MHz
VDD
= 24 V
32 V
17
22
02040 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240
19
20
21
18
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, f = 940 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
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