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参数资料
| 型号： | MRFE6S9135HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 442K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 940MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 39W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zload
Zsource
f = 820 MHz
Zo
= 10
Ω
f = 980 MHz
f = 820 MHz
f = 980 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 39 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
820
3.39 - j6.99
2.18 - j0.80
840
3.32 - j6.86
2.20 - j0.71
860
3.05 - j6.74
2.21 - j0.66
880
2.72 - j6.47
2.20 - j0.64
900
2.46 - j6.16
2.20 - j0.64
920
2.41 - j5.80
2.18 - j0.62
940
2.41 - j5.58
2.13 - j0.63
960
2.38 - j5.45
2.03 - j0.66
980
2.13 - j5.38
1.87 - j0.70
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRFE6S9160HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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