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参数资料
| 型号： | MRFE6S9135HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 442K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 940MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 39W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dBc)
?20
0
?5
?10
?15
980
860
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 39 Watts Avg.
960
940
920
900
880
14
22
21
20
19
18
17
16
15
?1.5
33
32
31
30
?0.3
?0.6
?0.9
?1.2
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dBc)
?20
0
?5
?10
?15
980
860
IRL
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 80 Watts Avg.
960
940
920
900
880
14
21
20
19
18
17
16
15
?3.2
46
45
44
43
?2.4
?2.6
?2.8
?3
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 400100
17
1
IDQ
= 1500 mA
1250 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
750 mA
22
21
20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
1
IDQ
= 500 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
750 mA
1000 mA
100
?10
?20
?30
?40
400
?60
?50
10
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
VDD= 28 Vdc, Pout
= 80 W (Avg.)
IDQ
= 1000 mA, Single?Carrier W?CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
19
18
VDD= 28 Vdc, Pout
= 39 W (Avg.)
IDQ
= 1000 mA, Single?Carrier W?CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
1000 mA
500 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 935 MHz, f2 = 945 MHz
Two?Tone Measurements
1250 mA
1500 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 935 MHz, f2 = 945 MHz
Two?Tone Measurements
1000 1020
1000 1020
13
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PDF描述 |
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| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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