- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21694 > MRFE6S9200HSR3 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFE6S9200HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 393K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
Zload
Zsource
f = 800 MHz
Zo
= 5
Ω
f = 960 MHz
f = 800 MHz
f = 960 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, P
out
= 58 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
800
4.23 - j4.85
0.70 - j0.33
820
4.46 - j4.69
0.76 - j0.13
840
4.39 - j4.75
0.78 - j0.02
860
4.06 - j4.68
0.79 + j0.09
880
3.70 - j4.45
0.81 + j0.16
900
3.55 - j4.04
0.86 + j0.21
920
3.57 - j3.71
0.89 + j0.27
940
3.67 - j3.47
0.89 + j0.31
960
3.67 - j3.45
0.82 + j0.33
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9200HR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| MRFE6S9200HR3 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| MRFE6S9160HR5 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| MRFE6S9160HR3 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 3059Y-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 1W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9200HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。