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参数资料
| 型号： | MRFE6S9200HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 393K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
Figure 2. MRFE6S9200HR3(SR3)
Test Circuit Component Layout
900 MHz
NI?880
Rev. 3
R3
B1
C26
C30
C2
R2
C20
C9
C8
R1
C7
C1
B2
C31
C27
C3
C25
C5
C24
C33
C29
C10
C6
C15
C17
C19
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C34
C16
C18
C12
C14
C11
C32
C23
C22
C4
C28
CUT OUT AREA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9200HR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| MRFE6S9200HR3 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| MRFE6S9160HR5 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| MRFE6S9160HR3 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 3059Y-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 1W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9200HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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