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参数资料
| 型号： | MRFE6S9200HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 393K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Mar. 2007
?
Initial Release of Data Sheet
1
Dec. 2008
?
Updated Full Frequency Band in Typical Performance bullet to f = 880 MHz to match actual production
test, p. 1
?
Clarified 3 dB overdrive test condition for HV6E enhanced ruggedness parts, p. 1
?
Corrected Ciss
test condition to indicate AC stimulus on the V
GS
connection versus the V
DS
connection,
Dynamic Characteristics table, p. 2
?
Changed maximum adjacent channel power ratio specification from -38.5 dBc to -36.5 dBc to match
actual production test limits, p. 2
?
Updated PCB information to show more specific material details, Fig. 1, Test Circuit Schematic, p. 3
?
Updated Part Numbers in Table 5, Component Designations and Values, to latest RoHS compliant part
numbers, p. 3
?
Deleted output signal data from Fig. 14, CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1, 64 DPCH, 50% Clipping,
Single-Carrier Test Signal, p. 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9200HR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| MRFE6S9200HR3 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9200HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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