- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFE6S9201HSR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFE6S9201HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 487K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 40W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
400
16 0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1400 mA
f = 880 MHz
TC
= ?30
C
25C
60
85C
10
23
22
21
20
19
C
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
?30C
25C
85
18
17
1
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD
= 24 V
G
ps
, POWER GAIN (dB)
350
18
22
0
19
20
21
IDQ
= 1400 mA
f = 880 MHz
50 100 200150 250 300
28 V
32 V
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 40 W Avg., and
ηD
= 31.3%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9205HSR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| MRFE6VP5600HR5 | FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230 |
| MRFE6VP61K25HSR6 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| MRFE6VP6300HSR3 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| MRFE6VP8600HSR6 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9205HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP100H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。