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参数资料
| 型号： | MRFE6S9201HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 487K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 40W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
N-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 14. Single-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
IS?95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±750 kHz Offset. ALT1 Measured in 30 kHz
Bandwidth @ ±1.98 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
PROBABILITY (%)
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+ACPR in 30 kHz
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Integrated BW
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+ALT1 in 30 kHz
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Integrated BW
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?80
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?90
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..
..?ALT1 in 30 kHz
Integrated BW
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.........
.
.........
?60
?110
?10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?100
1.2288 MHz
Channel BW
2.9
0.7 2.21.5
0
?1.5
?0.7
?3.6
?2.9
?2.2
3.6
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Single-Carrier N-CDMA Spectrum
?ACPR in 30 kHz
Integrated BW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9205HSR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| MRFE6VP5600HR5 | FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9205HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP100H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors |
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