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参数资料
| 型号： | MRFE6S9205HR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 404K |
| 代理商： | MRFE6S9205HR3 |
MRFE6S9205HR3 MRFE6S9205HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Oct. 2007
Initial Release of Data Sheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP5600HSR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP5600HR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP5600HR5 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP61K25HR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP61K25HSR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9205HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP100H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors |
| MRFE6VP100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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