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参数资料
| 型号： | MRFE6VP5600HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 930K |
| 描述： | FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230 |
| 产品培训模块： | RF Power LDMOS Enhanced Ruggedness Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 25dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 600W |
| 电压 - 额定： | 130V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRFE6VP5600HR5DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP5600HR6 MRFE6VP5600HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 9. MTTF versus Junction Temperature ? CW
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=50Vdc,Pout
= 600 W Avg., and
ηD
= 75.2%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
104
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
108
105
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP61K25HSR6 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| MRFE6VP6300HSR3 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| MRFE6VP8600HSR6 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
| MRFG35002N6AT1 | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP5600HR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VP Series 600 MHz 600 W 50 V N-Channel RF Power MOSFET - CASE 375D-5 |
| MRFE6VP5600HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP5600HR6_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP5600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP5600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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