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参数资料
| 型号： | MRFG35002N6AT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 354K |
| 描述： | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 1.7A |
| 电流 - 测试： | 65mA |
| 功率 - 输出： | 1.5W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFG35002N6AT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized
from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
Customer Premise Equipment (CPE) applications.
?
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD
=6Volts,IDQ
=
65 mA, Pout
= 158 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain ? 10 dB
Drain Efficiency ? 26.5%
ACPR @ 5 MHz Offset ? --42 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
?
1.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
Features
?
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
RoHS Compliant
?
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain--Source Voltage
VDSS
8
Vdc
Gate--Source Voltage
VGS
-- 5
Vdc
RF Input Power
Pin
22
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
--65 to +150
°C
Channel Temperature
(1)
Tch
175
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
(2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
13.7
°C/W
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Refer to AN1955,
Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.
Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
Document Number: MRFG35002N6A
Rev. 2, 6/2009
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5GHz,1.5W,6V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35002N6AT1
CASE 466--03, STYLE 1
PLD--1.5
PLASTIC
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2007--2009.
All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35003ANR5 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35003ANT1 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35003M6T1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| MRFG35003MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRFG35002N6T1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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