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参数资料
| 型号： | MRFG35003M6T1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 9dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
Replaced by MRFG35003N6T1. There are no form, fit or function changes with this
part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free
terminations.
MRFG35003M6T1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for 3.5 GHz WLL/MMDS/BWA or UMTS applications. Character-
ized from 0.5 to 5.0 GHz. Device is unmatched and is characterized for use in
Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.
?
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 6 Volts,
IDQ
= 180 mA
Output Power ? 450 mWatts
Power Gain ? 9 dB
Efficiency ? 24%
?
3 Watts P1dB @ 3.55 GHz
?
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
8
Vdc
Total Device Dissipation @ TC
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
22.7 (2)
0.15 (2)
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
24
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +85
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
6.6 (2)
°C/W
Table 3. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
1
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Simulated.
Document Number: MRFG35003M6T1
Rev. 4, 1/2006
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 3 W, 6 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35003M6T1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35003MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD |
| MRFG35003N6AT1 | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| MRFG35003N6T1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| MRFG35005ANT1 | TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35005MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRFG35003N6T1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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