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参数资料
型号： MRFG35003M6T1
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 9/12页
文件大小： 143K
描述： MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
标准包装： 1,000
晶体管类型： pHEMT FET
频率： 3.55GHz
增益： 9dB
电压 - 测试： 6V
额定电流： 2.9A
电流 - 测试： 180mA
功率 - 输出： 3W
电压 - 额定： 8V
封装/外壳： PLD-1.5
供应商设备封装： PLD-1.5
包装： 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003M6T1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.5
0.954
-176.79
3.859
84.89
0.016
9.07
0.847
178.96
0.55
0.953
-177.98
3.527
83.61
0.016
8.90
0.846
178.38
0.6
0.952
-179.13
3.250
82.29
0.016
8.49
0.846
177.74
0.65
0.952
179.80
3.019
80.95
0.016
8.44
0.845
177.07
0.7
0.952
178.89
2.818
79.74
0.016
8.51
0.844
176.28
0.75
0.951
177.96
2.643
78.49
0.016
8.53
0.844
175.55
0.8
0.952
177.03
2.491
77.11
0.017
8.75
0.843
174.77
0.85
0.952
176.22
2.354
75.85
0.017
8.61
0.842
173.93
0.9
0.951
175.46
2.234
74.67
0.017
8.62
0.842
173.12
0.95
0.951
174.66
2.124
73.38
0.017
8.56
0.841
172.27
1
0.952
173.92
2.025
72.17
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8.48
0.841
171.37
1.05
0.951
173.18
1.934
70.97
0.017
8.47
0.841
170.50
1.1
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172.40
1.851
69.68
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8.93
0.841
169.75
1.15
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171.63
1.774
68.46
0.017
8.90
0.840
168.89
1.2
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8.79
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168.10
1.25
0.950
170.06
1.638
65.98
0.018
8.80
0.841
167.34
1.3
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169.23
1.576
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8.15
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8.31
0.843
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1.7
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1.049
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7.93
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2
0.952
158.25
1.024
49.95
0.019
8.02
0.843
161.24
2.05
0.951
157.84
1.000
49.06
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6.89
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MRFG35003N6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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