- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFG35003M6T1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35003M6T1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 9dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003M6T1
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
2.9
?
Adc
Off State Leakage Current
(VGS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
< 1.0
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS
= 6 Vdc, V
GS
= -1.9 Vdc)
IDSO
?
0.02
1.0
mAdc
Off State Current
(VDS
= 20 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
IDSX
?
1.0
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-1.0
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA)
VGS(Q)
-1.1
-0.9
-0.7
Vdc
Power Gain
(VDD
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
8
9
?
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
?
3
?
W
Drain Efficiency
(VDD
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA, P
out
= 450 mW, f = 3.55 GHz.
Tune for Maximum Pout)
D
22
24
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD
= 6 Vdc, P
out
= 450 mW Avg., I
DQ
= 180 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
?
-42
-38
dBc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35003MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD |
| MRFG35003N6AT1 | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| MRFG35003N6T1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| MRFG35005ANT1 | TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35005MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35003M6T1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35003MT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35003N6AT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35003N6T1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35003NR5 | 功能描述:TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。