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参数资料
| 型号： | MRFG35003N6AT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 215K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFG35003N6AT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
Customer Premise Equipment (CPE) applications.
?
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD
= 6 Volts, I
DQ
=
180 mA, Pout
= 450 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain ? 10 dB
Drain Efficiency ? 27%
ACPR @ 5 MHz Offset ? -42.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
?
3 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
Features
?
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
RoHS Compliant
?
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
8
Vdc
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
24
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
(2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
5.9
°C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
2 (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak
Temperature
Unit
Per JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
Document Number: MRFG35003N6A
Rev. 2, 6/2009
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 3 W, 6 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35003N6AT1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2007-2009. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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