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参数资料
| 型号： | MRFG35003N6AT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 215K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003N6AT1
TYPICAL CHARACTERISTICS
?50
0
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Single-Channel W-CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Frequency
?20
?30
?40
?10
?15
?20
?25
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
?10
VDD= 6 Vdc, IDQ
= 180 mA, P
out
= 450 mW
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IRL
ACPR
?35
?5
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 7. Single-Channel OFDM Error Vector
Magnitude and Drain Efficiency versus Output Power
18
?15
?20
?25
?30
50
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (dB)
?10
VDD= 6 Vdc, IDQ
= 180 mA, f = 3550 MHz
3/4
Single?Carrier OFDM 802.16d, 64 QAM
7 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
EVM
40
3450 3500 3550 3600 3650
?5
20 22 24 26 28 30 32
NOTE:
Data is generated from the test circuit shown.
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PDF描述 |
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