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参数资料
| 型号： | MRFG35003N6AT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 215K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003N6AT1
Table 5. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
2.9
?
Adc
Off State Leakage Current
(VGS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
< 1
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS
= 6 Vdc, V
GS
= -2.2 Vdc)
IDSO
?
50
1000
μAdc
Off State Current
(VDS
= 20 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
IDSX
?
< 1
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.95
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS
= 6 Vdc, I
D
= 180 mA)
VGS(Q)
-1.1
-0.82
-0.6
Vdc
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA, P
out
= 450 mWatts Avg., f = 3550 MHz,
Single-Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
8
10
?
dB
Drain Efficiency
D
22
27
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-42.5
-38
dBc
Typical RF Performance
(In Freescale Test Fixture, 50
οhm system) VDD
= 6 Vdc, IDQ
= 180 mA, f = 3550 MHz
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
3
?
W
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