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参数资料
| 型号： | MRFG35003N6AT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 215K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFG35003N6AT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
32
2
14
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
20 24 26 3022
18
10
8
6
4
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
28
12
VDD= 6 Vdc, IDQ
= 180 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
Gps
32
?50
0?5
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Channel W-CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Output Power
20 24 26 3022
18
?20
?30
?40
?10
?15
?20
?25
?30
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
28
?10
VDD= 6 Vdc, IDQ
= 180 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IRL
ACPR
2
14
22
34
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Frequency
3450
10
8
6
4
32
28
26
24
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
12
VDD= 6 Vdc, IDQ
= 180 mA, P
out
= 450 mW
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
Gps
30
3500 3550 3600 3650
NOTE:
Data is generated from the test circuit shown.
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PDF描述 |
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