参数资料
型号: MRFG35003N6AT1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 9/11页
文件大小: 215K
描述: TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
标准包装: 1,000
晶体管类型: pHEMT FET
频率: 3.55GHz
增益: 10dB
电压 - 测试: 6V
额定电流: 2.9A
电流 - 测试: 180mA
功率 - 输出: 3W
电压 - 额定: 8V
封装/外壳: PLD-1.5
供应商设备封装: PLD-1.5
包装: 带卷 (TR)
MRFG35003N6AT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 7. Common Source S-Parameters (VDD
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA, T
A
= 25
°C, 50 Ohm System)
ff
S11
S21
S12
S22
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
500
0.952
-178.5
3.658
83.3
0.017
4.87
0.844
177.9
550
0.952
-179.7
3.336
82.0
0.017
4.61
0.845
177.3
600
0.952
179.2
3.062
80.7
0.017
4.46
0.845
176.8
650
0.952
178.2
2.832
79.4
0.018
4.25
0.845
176.2
700
0.952
177.2
2.627
78.2
0.018
4.15
0.845
175.7
750
0.952
176.3
2.451
77.0
0.018
4.03
0.844
175.1
800
0.952
175.4
2.304
75.8
0.018
3.89
0.844
174.6
850
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174.6
2.175
74.7
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3.79
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174.1
900
0.952
173.9
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73.5
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3.72
0.845
173.6
950
0.952
173.1
1.955
72.4
0.018
3.66
0.845
173.1
1000
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172.3
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1.631
68.0
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3.11
0.845
171.1
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169.6
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2.90
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170.6
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2.11
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155.6
(continued)
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