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参数资料
| 型号： | MRFG35002N6AT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 354K |
| 描述： | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 1.7A |
| 电流 - 测试： | 65mA |
| 功率 - 输出： | 1.5W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFG35002N6AT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
28
2
14
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single--Channel W--CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
16 20 22 2618
14
10
8
6
4
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
24
12
VDD=6Vdc,IDQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5
dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
Gps
28
-- 5 0
0
-- 5
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single--Channel W--CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Output Power
16 20 22 2618
14
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
24
-- 1 0
VDD=6Vdc,IDQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5
dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
IRL
ACPR
2
14
24
36
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single--Channel W--CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Frequency
3450
10
8
6
4
34
30
28
26
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
12
VDD=6Vdc,IDQ
=65mA,Pout= 158 mW
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5
dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
Gps
32
3500 3550 3600 3650
NOTE:Data is generated from the test circuit shown.
0
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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PDF描述 |
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