- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFG35002N6AT1 (Freescale Semiconductor)TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35002N6AT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 354K |
| 描述： | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 1.7A |
| 电流 - 测试： | 65mA |
| 功率 - 输出： | 1.5W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6AT1
Figure 2. MRFG35002N6A Test
Circuit Component Layout
MRFG35002N6A Rev. 3
C13
C12 C11 C10 C9
C8
C7
R1
C5
C6
C3
C4
C1
C23
C21
C22
C20
C19
C18
C17 C16 C15
C14
C24
C2
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35003ANR5 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35003ANT1 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35003M6T1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| MRFG35003MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35002N6R5 | 功能描述:TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35002N6T1 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35002N6T1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35003ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35003ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。