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参数资料
| 型号： | MRFE6VP61K25HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/23页 |
| 文件大小： | 895K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品培训模块： | RF Power LDMOS Enhanced Ruggedness Solutions |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 24dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 1250W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25?C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests
(1)
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA, Pout
= 1250 W Peak (250 W Avg.),
f = 230 MHz, 100
?sec Pulse Width, 20% Duty Cycle
Power Gain
Gps
23.0
24.0
26.0
dB
Drain Efficiency
?D
72.5
74.0
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-- 1 4
-- 1 0
dB
Table 5. Load Mismatch/Ruggedness
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) IDQ
= 100 mA
Frequency
(MHz)
Signal Type
VSWR
Pout
(W)
Test Voltage, VDD
Result
230
Pulse
(100
?sec, 20% Duty Cycle)
> 65:1 at all
Phase Angles
1500 Peak
(3 dB Overdrive)
50
No Device Degradation
1. Measurements made with device in straight lead
configuration before any lead forming operation is applied. Lead forming is used for gull
wing (GS) parts.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CWX815-1.8432M | OSC 1.8432MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
| 150474J100DC | CAP FILM 0.47UF 100VDC AXIAL |
| DPP4P15K-F | CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL |
| MC12FD131F-TF | CAP MICA 130PF 500V 1% 1210 |
| DPM4P15K-F | CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP61K25HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP6300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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