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参数资料
| 型号： | MRFE6VP61K25HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/23页 |
| 文件大小： | 895K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品培训模块： | RF Power LDMOS Enhanced Ruggedness Solutions |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 24dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 1250W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
HARMONIC MEASUREMENTS
Figure 22. 144 MHz Harmonics @ 1 kW
H2
H3 H4 H5
--42 dB --33 dB --37 dB --39 dB
144 MHz, 1 kW
1.018 kW
144.00000000 MHz
--42.07 dB
144.00501002 MHz
--32.87 dB
288.00501002 MHz
--37.26 dB
432.00501002 MHz
1SA
--38.89 dB
576.00501002 MHz
B1[T1]
1[T1]
2[T1]
3[T1]
4[T1]
1
2
3
4
1
Ref Lvl
1.5 E 04 W
Marker 1 [T1]
1.018
kW
144.00000000
MHz
RBW
VBW
SWT
3MHz
RF Att
3MHz
5ms
Unit
10 dB
W
77.7 dB Offset
1VIEW
EXT
Center 525 MHz 95 MHz/ Span 950 MHz
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CWX815-1.8432M | OSC 1.8432MHZ 5.0V +-25PPM SMD |
| 150474J100DC | CAP FILM 0.47UF 100VDC AXIAL |
| DPP4P15K-F | CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL |
| MC12FD131F-TF | CAP MICA 130PF 500V 1% 1210 |
| DPM4P15K-F | CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP61K25HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HR3_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP6300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP6300HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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