参数资料
型号: MRFE6VP61K25HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/23页
文件大小: 895K
描述: MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S
产品培训模块: RF Power LDMOS Enhanced Ruggedness Solutions
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 230MHz
增益: 24dB
电压 - 测试: 50V
电流 - 测试: 100mA
功率 - 输出: 1250W
电压 - 额定: 125V
封装/外壳: NI-1230S
供应商设备封装: NI-1230S
包装: 带卷 (TR)
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RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
RF
INPUT
V
GS
RF
OUTPUT
C1
B1
L1
R1
C3
C2
T1
L2
L3
B2
B3
C4
C15 C16 C17 C19 C18
C22 C23 C24 C21 C20
COAX1
COAX2
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C5
COAX3
V
DD
V
DD
Figure 14. MRFE6VP61K25HR6(HSR6) 87.5--108 MHz FM Broadcast Reference Circuit Schematic
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相关PDF资料
PDF描述
CWX815-1.8432M OSC 1.8432MHZ 5.0V +-25PPM SMD
150474J100DC CAP FILM 0.47UF 100VDC AXIAL
DPP4P15K-F CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL
MC12FD131F-TF CAP MICA 130PF 500V 1% 1210
DPM4P15K-F CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFE6VP61K25HSR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP6300HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP6300HR3_11 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRFE6VP6300HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP6300HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray