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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/20页 |
| 文件大小： | 1263K |
| 描述： | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 130V |
| 封装/外壳： | NI-1230S |
| 供应商设备封装： | NI-1230S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
19
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION, SOFTWARE AND TOOLS
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1908: Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
Software
?
Electromigration MTTF Calculator
?
RF High Power Model
?
.s2p File
Development Tools
?
Printed Circuit Boards
For Software and Tools, do a Part Number search at http://www.freescale.com, and select the ?Part Number? link. Go to the
Software & Tools tab on the part?s Product Summary page to download the respective tool.
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Sept. 2011
?
Initial Release of Data Sheet
1
Sept. 2011
?
Added Fig. 19, DVB--T (8k OFDM) Drain Efficiency,
Power Gain and IMD Shoulder versus Output Power --
470--860 MHz @ 700 mA to indicate efficiency gains with appropriate precorrection systems, p. 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35002N6AT1 | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35003ANR5 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35003ANT1 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35003M6T1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
| MRFE6VS25NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VS Series 2000 MHz 25 W 50 V N-Channel RF Power Mosfet - TO-270-2 |
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