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参数资料
| 型号： | MRFG35003N6T1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | MRFG35003N6T1 |
MRFG35003N6T1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
60
0
0.1
60
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
ACPR
(dBc)
VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.898é132.18_, ΓL = 0.883é134.70_
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
10
20
30
40
50
1
8
12
0.1
0
40
GT
PAE
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
,POWER
ADDED
EFFICIENCY
(%)
PA
E
G
T
,TRANSDUCER
GAIN
(dB)
VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.898é132.18_, ΓL = 0.883é134.70_
11.5
35
11
30
10.5
25
10
20
9.5
15
910
8.5
5
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
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PDF描述 |
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