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参数资料
型号： MRFG35003N6T1
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件页数： 7/10页
文件大小： 123K
代理商： MRFG35003N6T1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003N6T1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS = 6 Vdc, IDQ = 180 mA
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.5
0.954
-176.79
3.859
84.89
0.016
9.07
0.847
178.96
0.55
0.953
-177.98
3.527
83.61
0.016
8.90
0.846
178.38
0.6
0.952
-179.13
3.250
82.29
0.016
8.49
0.846
177.74
0.65
0.952
179.80
3.019
80.95
0.016
8.44
0.845
177.07
0.7
0.952
178.89
2.818
79.74
0.016
8.51
0.844
176.28
0.75
0.951
177.96
2.643
78.49
0.016
8.53
0.844
175.55
0.8
0.952
177.03
2.491
77.11
0.017
8.75
0.843
174.77
0.85
0.952
176.22
2.354
75.85
0.017
8.61
0.842
173.93
0.9
0.951
175.46
2.234
74.67
0.017
8.62
0.842
173.12
0.95
0.951
174.66
2.124
73.38
0.017
8.56
0.841
172.27
1
0.952
173.92
2.025
72.17
0.017
8.48
0.841
171.37
1.05
0.951
173.18
1.934
70.97
0.017
8.47
0.841
170.50
1.1
0.951
172.40
1.851
69.68
0.017
8.93
0.841
169.75
1.15
0.951
171.63
1.774
68.46
0.017
8.90
0.840
168.89
1.2
0.951
170.90
1.704
67.25
0.018
8.79
0.841
168.10
1.25
0.950
170.06
1.638
65.98
0.018
8.80
0.841
167.34
1.3
0.951
169.23
1.576
64.74
0.018
8.44
0.840
166.61
1.35
0.946
168.58
1.518
63.62
0.018
8.76
0.838
166.13
1.4
0.952
167.47
1.463
62.45
0.018
9.00
0.845
165.24
1.45
0.949
166.77
1.411
61.29
0.018
8.57
0.841
164.98
1.5
0.949
163.72
1.360
60.14
0.018
8.15
0.842
166.78
1.55
0.948
162.94
1.317
59.12
0.018
8.28
0.843
166.27
1.6
0.947
162.21
1.276
58.03
0.018
8.51
0.843
165.71
1.65
0.950
161.60
1.237
56.92
0.018
8.31
0.843
165.16
1.7
0.951
160.97
1.201
55.93
0.018
8.40
0.844
164.60
1.75
0.950
160.44
1.167
54.89
0.018
8.35
0.844
164.10
1.8
0.950
159.95
1.135
53.83
0.019
8.44
0.844
163.47
1.85
0.952
159.46
1.105
52.85
0.019
8.61
0.843
162.87
1.9
0.951
159.01
1.076
51.92
0.019
8.34
0.844
162.37
1.95
0.950
158.58
1.049
50.84
0.019
7.93
0.843
161.77
2
0.952
158.25
1.024
49.95
0.019
8.02
0.843
161.24
2.05
0.951
157.84
1.000
49.06
0.019
7.86
0.844
160.75
2.1
0.951
157.48
0.979
48.17
0.019
7.67
0.845
160.26
2.15
0.952
157.17
0.959
47.22
0.019
7.24
0.843
159.69
2.2
0.952
156.89
0.939
46.34
0.020
6.89
0.843
159.08
2.25
0.952
156.63
0.921
45.44
0.020
6.73
0.844
158.58
2.3
0.952
156.35
0.904
44.48
0.020
6.86
0.843
158.07
2.35
0.953
155.98
0.888
43.57
0.020
6.83
0.842
157.42
2.4
0.951
155.66
0.873
42.68
0.020
6.80
0.842
156.97
2.45
0.952
155.28
0.860
41.72
0.020
6.74
0.842
156.47
2.5
0.952
154.86
0.848
40.82
0.020
6.73
0.840
155.83
2.55
0.950
154.44
0.836
39.90
0.021
6.72
0.841
155.29
2.6
0.949
153.93
0.826
38.89
0.021
6.86
0.840
154.74
2.65
0.950
153.36
0.815
37.85
0.021
6.74
0.838
154.18
2.7
0.949
152.82
0.806
36.81
0.022
6.24
0.838
153.62
2.75
0.946
152.08
0.797
35.75
0.022
5.69
0.839
153.16
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
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