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参数资料
| 型号： | MRFG35010ANT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/25页 |
| 文件大小： | 1043K |
| 描述： | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 130mA |
| 功率 - 输出： | 9W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRFG35010ANT1DKR |
MRFG35010ANT1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Figure 16. MRFG35010ANT1 Test Circuit Schematic — 2140 MHz
Z7, Z9 0.146?
x 0.070?
Microstrip
Z8 0.045?
x 0.098?
Microstrip
Z10 0.200?
x 0.040?
Microstrip
Z11 0.260?
x 0.020?
Microstrip
Z12 0.200?
x 0.632?
Microstrip
Z13 0.045?
x 0.420?
Microstrip
Z1, Z14 0.045?
x 0.295?
Microstrip
Z2 0.045?
x 0.224?
Microstrip
Z3 0.045?
x 0.515?
Microstrip
Z4 0.105?
x 0.045?
Microstrip
Z5 0.045?
x 0.023?
Microstrip
Z6 0.450?
x 0.312?
Microstrip
Table 11. MRFG35010ANT1 Test Circuit Microstrips — 2140 MHz
Description
Microstrip
Description
Microstrip
RF
INPUT
RF
OUTPUT
R1
VDD
VGG
C9
+
C8
C7
C6
C5
C4
C3
Z8
C10
+
C14
C13
C12
C11
C15
C16
C1
C2
Z5
Z4
Z3
Z1
Z2
Z9
Z10
Z11
Z12
C19
Z13
Z14
L1
L2
C18
Z6
Z7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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| MRFG35010N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
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