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参数资料
| 型号： | MRFG35020AR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 728K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.5GHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 电流 - 测试： | 300mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFG35020AR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
-- 5 0
00
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single--Channel W--CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Frequency
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
-- 1 0
3400
VDS=12Vdc,IDQ
= 300 mA, Pout
=33dBm
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability(CCDF)
IRL
ACPR
-- 3 5
-- 5
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 9. Single--Channel OFDM Error Vector
Magnitude and Drain Efficiency versus Output Power
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
50
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (dB)
-- 1 0
EVM
40
NOTE:Data is generated from the test circuit shown.
3450 3500 3550 3600
VDS=12Vdc,IDQ
= 300 mA, f = 3500 MHz
3/4
Single--Carrier OFDM 802.16d, 64 QAM
7 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
42
20 2822
24 26 30 32 34 36 38 40
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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