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参数资料
| 型号： | MRFG35020AR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 728K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.5GHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 电流 - 测试： | 300mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35020AR1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22--A114)
2 (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DC Characteristics
Off State Drain Current
(VDS
=3.5Vdc,VGS
=--2.2Vdc)
IDSO
?
10
425
μAdc
Off State Current
(VDS
= 28.5 Vdc, VGS
=--2.5Vdc)
IDSX
?
2
42.5
mAdc
Gate--Source Cut--off Voltage
(VDS
=3.5Vdc,IDS
= 42.5 mA)
VGS(th)
-- 1 . 2
--0.95
-- 0 . 7
Vdc
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
(1)
VDD
=12Vdc,IDQ
= 300 mA, Pout
= 2 W Avg., f = 3500 MHz,
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
9.5
11.5
?
dB
Drain Efficiency
ηD
18
22
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-- 4 3
-- 3 9
dBc
Typical RF Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=12Vdc,IDQ
= 300 mA, f = 3500 MHz
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
20
?
W
1. Measurements made with
device in test fixture.
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35030R5 | MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 |
| MSD6100RLRAG | DIODE SW DUAL CC 100V TO-92 |
| MSQC4911C | LED 7-SEG CLOCK 4DIG CA HRED .4" |
| MSRD620CTG | DIODE ULT FAST 200V 3A DPAK |
| MSRD620CTRG | DIODE ULTRA FAST 200V 3A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35020AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35030R5 | 功能描述:MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFIC0001 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT |
| MRFIC0903 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
| MRFIC0904 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:900 MHz GaAs TWO STAGE DRIVER AMP INTEGRATED CIRCUIT |
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