参数资料
型号: MRW54001
厂商: ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 1/1页
文件大小: 13K
代理商: MRW54001
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
NONE
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
BVCEO
IC = 10 mA
22
V
BVCES
IC = 10 mA
50
V
BVCBO
IC = 1.0 mA
45
V
BVEBO
IE = 250
A
3.5
V
ICBO
VCB = 28 V
250
A
hFE
VCE = 5.0 V
IC = 100 mA
20
120
---
ft
VCE = 20 V
IE = 120 mA
4.0
4.5
GHz
Cob
VCB = 28 V
f = 1.0 MHz
3.5
pF
GPE
LG
VCE = 20 V
ICQ = 120 mA
Pout = 0.5 W
f = 2.0 GHz
10
-0.2/+1.0
dB
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRW54001
PACKAGE STYLE .200 4L PILL
1 = Collector
3 = Base
2 & 4 = Emitter
UNIT
b
B1
c
D
D1
D2
H
mm
1.63
1.38
0.81
0.71
0.16
0.10
3.38
3.08
5.28
5.12
5.23
5.13
19
17
inches
0.065
0.055
0.032
0.028
0.006
0.004
0.133
0.121
0.208
0.202
0.206
0.202
0.75
0.67
DESCRIPTION:
The
ASI MRW54001 is Designed for
Classs "A" and "AB" Amplifier
Applications Up to 2.0 GHz.
FEATURES:
Omnigold Metalization System
Implanted ballast resistors
Common-Emitter
MAXIMUM RATINGS
I
160 mA
VCEO
22 V
VCES
50 V
TJ
-65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +200 °C
θθθθ
JC
40 °C/W
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