| 型号: | MS1000 |
| 厂商: | MICROSEMI CORP |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装: | M174, 4 PIN |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 36K |
| 代理商: | MS1000 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MS1007 | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MS1001 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MS-100198 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Ultra-Low Profile DIP Switches |