参数资料
型号: MSC7116VF1000
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 21/60页
文件大小: 0K
描述: DSP 16BIT W/DDR CTRLR 400-MAPBGA
标准包装: 90
系列: StarCore
类型: 定点
接口: 主机接口,I²C,UART
时钟速率: 266MHz
非易失内存: ROM(8 kB)
芯片上RAM: 400kB
电压 - 输入/输出: 3.30V
电压 - 核心: 1.20V
工作温度: -40°C ~ 105°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 400-LFBGA
供应商设备封装: 400-MAPBGA(17x17)
包装: 托盘
MSC7116 Data Sheet, Rev. 13
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
28
Figure 7 provides the AC test load for the DDR DRAM bus.
2.5.5
TDM Timing
Figure 7. DDR DRAM AC Test Load
Table 19. DDR DRAM Measurement Conditions
Symbol
DDR DRAM
Unit
VTH
1
VREF ± 0.31 V
V
VOUT
2
0.5
× VDDM
V
Notes:
1.
Data input threshold measurement point.
2.
Data output measurement point.
Table 20. TDM Timing
No.
Characteristic
Expression
Min
Max
Units
300
TDMxRCK/TDMxTCK
TC
20.0
ns
301
TDMxRCK/TDMxTCK High Pulse Width
0.4
× TC
8.0
ns
302
TDMxRCK/TDMxTCK Low Pulse Width
0.4
× TC
8.0
ns
303
TDM all input Setup time
3.0
ns
304
TDMxRD Hold time
3.5
ns
305
TDMxTFS/TDMxRFS input Hold time
2.0
ns
306
TDMxTCK High to TDMxTD output active
4.0
ns
307
TDMxTCK High to TDMxTD output valid
14.0
ns
308
TDMxTD hold time
2.0
ns
309
TDMxTCK High to TDMxTD output high impedance
10.0
ns
310
TDMxTFS/TDMxRFS output valid
13.5
ns
311
TDMxTFS/TDMxRFS output hold time
2.5
ns
Notes:
1.
Output values are based on 30 pF capacitive load.
2.
Inputs are referenced to the sampling that the TDM is programmed to use. Outputs are referenced to the programming edge
they are programmed to use. Use of the rising edge or falling edge as a reference is programmable. Refer to the MSC711x
Reference Manual for details. TDMxTCK and TDMxRCK are shown using the rising edge.
Figure 8. TDM Receive Signals
Output
Z0 = 50 Ω
VOUT
RL = 50 Ω
TDMxRCK
TDMxRD
TDMxRFS
300
301
302
303
304
305
311
310
TDMxRFS (output)
~ ~
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