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参数资料
| 型号： | MSD42T1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MSD42T1G |
MSD42WT1G, MSD42T1G
http://onsemi.com
2
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 1. DC Current Gain
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
100
0.1
10
1.0
10
1000
Ceb @ 1MHz
Figure 2. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
0.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
10
0.1
1.0
100
1.0
Ccb @ 1MHz
VBE(on) @ 25°C, VCE = 10 V
VCE(sat) @ 25°C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 25°C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ 125°C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ -55°C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 125°C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ -55°C, IC/IB = 10
VBE(on) @ 125°C, VCE = 10 V
VBE(on) @ -55°C, VCE = 10 V
Figure 3. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
120
0.1
1.0
10
100
80
60
0
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = +125°C
25
°C
-55
°C
VCE = 10 Vdc
100
20
40
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