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参数资料
| 型号： | MSP3V3-M3/89A |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MICROSMP, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | MSP3V3-M3/89A |
Document Number: 88486
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Revision: 23-Apr-10
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3
MSP3V3
Vishay General Semiconductor
New Product
Fig. 3 - Relative Variation of Leakage Current vs.
Junction Temperature
Fig. 4 - Typical Peak Forward Voltage Drop vs.
Peak Forward Current
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
50
60
70
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
Rever
s
e
Leakage
Cur
rent
(μA)
TJ - Junction Temperature (°C)
10
1
0.1
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VF - Forward Voltage Drop (V)
Peak
Forwar
d
Curr
ent
(A)
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1
02
3
4
Reverse Voltage (V)
C
J-
Junction
Capacitance
(pF)
1000
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
t - Pulse Duration (s)
Tr
a
n
s
ient
Thermal
Impedance
(°C/W)
0.106 (2.70)
0.091 (2.30)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
Cathode Band
MicroSMP
0.030 (0.75)
0.022 (0.55)
0.030 (0.75)
0.022 (0.55)
0.059 (1.50)
0.043 (1.10)
0.039 (0.98)
0.031 (0.78)
0.091 (2.30)
0.083 (2.10)
0.020 (0.50)
0.043
(1.10)
0.011 (0.27)
0.005 (0.12)
0.079
(2.00)
0.032
(0.80)
0.032
(0.80)
Mounting Pad Layout
0.029 (0.73)
0.025 (0.63)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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