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参数资料
| 型号： | MSP430F5519IPN |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, LQFP-80 |
| 文件页数： | 95/119页 |
| 文件大小： | 1351K |
| 代理商： | MSP430F5519IPN |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页当前第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页
MSP430F551x
MSP430F552x
SLAS590E
– MARCH 2009 – REVISED APRIL 2011
Flash Memory
over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)
TEST
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
CONDITIONS
DVCC(PGM/ERASE) Program and erase supply voltage
1.8
3.6
V
IPGM
Average supply current from DVCC during program
3
5
mA
IERASE
Average supply current from DVCC during erase
2
mA
IMERASE, IBANK
Average supply current from DVCC during mass erase or bank erase
2
mA
tCPT
Cumulative program time
See (1)
16
ms
Program/erase endurance
104
105
cycles
tRetention
Data retention duration
TJ = 25°C
100
years
tWord
Word or byte program time
See (2)
64
85
s
tBlock, 0
Block program time for first byte or word
See (2)
49
65
s
Block program time for each additional byte or word, except for last
tBlock, 1–(N–1)
See (2)
37
49
s
byte or word
tBlock, N
Block program time for last byte or word
See (2)
55
73
s
Erase time for segment, mass erase, and bank erase when
tErase
See (2)
23
32
ms
available.
MCLK frequency in marginal read mode
fMCLK,MGR
0
1
MHz
(FCTL4.MGR0 = 1 or FCTL4. MGR1 = 1)
(1)
The cumulative program time must not be exceeded when writing to a 128-byte flash block. This parameter applies to all programming
methods: individual word/byte write and block write modes.
(2)
These values are hardwired into the flash controller
's state machine.
JTAG and Spy-Bi-Wire Interface
over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)
TEST
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
CONDITIONS
fSBW
Spy-Bi-Wire input frequency
2.2 V/3 V
0
20
MHz
tSBW,Low
Spy-Bi-Wire low clock pulse length
2.2 V/3 V
0.025
15
s
Spy-Bi-Wire enable time (TEST high to acceptance of first clock
tSBW, En
2.2 V/3 V
1
s
edge)(1)
tSBW,Rst
Spy-Bi-Wire return to normal operation time
15
100
s
2.2 V
0
5
MHz
fTCK
TCK input frequency - 4-wire JTAG(2)
3 V
0
10
MHz
Rinternal
Internal pulldown resistance on TEST
2.2 V/3 V
45
60
80
k
(1)
Tools accessing the Spy-Bi-Wire interface need to wait for the tSBW,En time after pulling the TEST/SBWTCK pin high before applying the
first SBWTCK clock edge.
(2)
fTCK may be restricted to meet the timing requirements of the module selected.
Copyright
2009–2011, Texas Instruments Incorporated
77
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PDF描述 |
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| MSP430F5519IPNR | 16-BIT, FLASH, RISC MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| MSP430F5632IPZ | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MSP430F5522IRGCR | 功能描述:16位微控制器 - MCU Mixed Signal Micro controller RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
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