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参数资料
| 型号： | MT24D836M |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 8Meg x 36 Parity DRAM SIMMs(8M x 36奇偶校验动态RAM（单列直插存储器模块）) |
| 中文描述： | 8Meg × 36平价的DRAM的SIMM（8米× 36奇偶校验动态随机存储器（单列直插存储器模块）） |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | MT24D836M |
4, 8 Meg x 36 Parity DRAM SIMMs
DM45.pm5 – Rev. 3/97
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1997, Micron Technology, Inc.
3
4, 8 MEG x 36
PARITY DRAM SIMMs
OBSOLETE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
MT24D836 (32MB)
DQ1 - 4
U1
A0-A10
DQ1 - 4
D
DQ1
DQ1 - 4
DQ1 - 4
DQ10
DQ18
CAS1#
DQ1 - 4
DQ1 - 4
DQ19
DQ27
DQ1 - 4
DQ1 - 4
DQ28
DQ36
CAS3#
A0-A10
11
11
11
11
11
11
11
11
11
U2
U17
U3
U4
U5
U6
U7
U8
U1-U16 = 4 Meg x 4 DRAMs
U17-U24 = 4 Meg x 1 DRAMs
DQ9
U18
U20
U19
11
11
11
DQ1 - 4
U15
DQ1 - 4
DQ1
DQ1 - 4
DQ1 - 4
DQ10
DQ18
RAS1#
DQ1 - 4
DQ1 - 4
DQ19
DQ27
DQ1 - 4
DQ1 - 4
DQ28
DQ36
RAS3#
11
11
11
11
11
11
11
11
11
U16
U21
U13
U14
U11
U12
U9
U10
DQ9
U22
U24
U23
11
11
11
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
A0-A10
CAS0#
RAS0#
CAS2#
RAS2#
WE#
WE#
CAS#
RAS#
OE#
WE#
CAS#
RAS#
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RAS#
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CAS#
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RAS#
V
CC
V
SS
U1-U24
U1-U24
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