收藏本站
参数资料
型号： MT28F320A18
厂商： Micron Technology, Inc.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 闪存
文件页数： 1/37页
文件大小： 558K
代理商： MT28F320A18
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY
MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON’S PRODUCTION DATA SHEET SPECIFICATIONS.
2 Meg x 16, 1.8V Enhanced+ Boot Block Flash Memory
MT28F320A18_3.fm - Rev. 3, Pub. 9/2002
2002, Micron Technology Inc.
1
2 MEG x 16
1.8V ENHANCED+ BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FLASH MEMORY
PRELIMINARY
MT28F320A18
Low Voltage, Extended Temperature
0.15μm Process Technology
FEATURES
32Mb block architecture
Seventy-one erasable blocks:
Eight 4K-word parameter blocks
Sixty-three 32K-word main memory blocks
V
CC
, V
CC
Q, V
PP
voltages*
1.65V (MIN), 1.95V (MAX) V
CC
, V
CC
Q
0.9V (MIN), 1.95V (MAX) V
PP
(in-system
PROGRAM/ERASE)
12V ±5% (HV) V
PP
tolerant (factory programming
compatibility)
Random access time: 70ns @ 1.65V V
CC
Low power consumption (V
CC
= 1.8V)
Asynchronous Read < 18mA
Write/Erase < 40mA (MAX)
Standby < 50μA (MAX)
Automatic power saving feature (APS)
Enhanced write and erase suspend options
ERASE-SUSPEND-to-READ
PROGRAM-SUSPEND-to-READ
ERASE-SUSPEND-to-PROGRAM
Dual 64-bit chip protection registers for security
purposes
Cross-compatible command support
Extended command set
Common flash interface
PROGRAM/ERASE cycle
100,000 WRITE/ERASE cycles per block
(V
PP
= V
PP1)
*An extended voltage range of 1.65V–2.20V for Vcc and VccQ,
and 0.9V–2.20V for Vpp is available upon request. A voltage
range of 1.42V–1.60V for VccQ is also available upon request.
Ball Assignment
48-Ball FBGA
Note:
See page 6 for Ball Description table.
See page 36 for mechanical drawing.
Part Number Example:
MT28F320A18FF-70 TET
OPTIONS
Timing
70ns access
Configurations
2 Meg x 16
Boot Block Configuration
Top
Bottom
Package
48-ball FBGA (6 x 8 ball grid)
Temperature Range
Extended (-40oC to +85oC)
MARKING
-70
MT28F320A18
T
B
FF
ET
A
B
C
D
E
F
1
2
3
4
5
6
7
8
Top View
(Ball Down)
A13
A14
A15
A16
V
CC
Q
V
SS
A19
A17
A6
DQ8
DQ9
DQ10
WP#
A18
A20
DQ2
DQ3
V
CC
A8
WE#
A9
DQ5
DQ6
DQ13
A4
A2
A1
A0
V
SS
OE#
A7
A5
A3
CE#
DQ0
DQ1
A11
A10
A12
DQ14
DQ15
DQ7
V
PP
RP#
DQ11
DQ12
DQ4
相关PDF资料
PDF描述
MT2D18 1 Meg x 8 DRAM Module(5V，1M x 8 动态RAM模块)
MT46V16M4 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4组，双数据速率同步动态RAM)
MT46V4M16 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4组，双数据速率同步动态RAM)
MT46V8M8 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4组，双数据速率同步动态RAM)
MT46V2M32LG DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM
相关代理商/技术参数
参数描述
MT28F320J3 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY
MT28F320J3BS-11 ET 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT28F320J3BS-11 ET TR 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
MT28F320J3BS-11 GMET 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT28F320J3BS-11 GMET TR 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*