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参数资料
| 型号： | MT28F320A18 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 闪存 |
| 文件页数： | 31/37页 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | MT28F320A18 |
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2 MEG x 16
1.8V ENHANCED+ BOOT BLOCK FLASH MEMORY
PRELIMINARY
2 Meg x 16, 1.8V Enhanced+ Boot Block Flash Memory
MT28F320A18_3.fm - Rev. 3, Pub. 9/2002
2002, Micron Technology Inc.
31
Two-Cycle Programming/ERASE Operation
WRITE TIMING PARAMETERS
Notes: 1.
The WRITE cycles for the WORD PROGRAMMING command are followed by a READ ARRAY DATA cycle.
SYMBOL
-70
UNITS
SYMBOL
-70
UNITS
V
CC
= 1.65V–1.95V
V
CC
= 1.65V–1.95V
MIN
MAX
MIN
MAX
t
RS
150
ns
t
WPH
30
ns
t
CS
t
WP
0
ns
t
RHS
t
VPS
200
ns
70
ns
200
ns
t
DS
t
AS
70
ns
t
WOS
t
RHH
50
ns
70
ns
0
ns
t
CH
0
ns
t
VPPH
0
ns
t
DH
0
ns
t
WB
t
AA+50
ns
t
AH
0
ns
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
UNDEFINED
t
CH
t
DH
t
RHS
t
DS
A0–A20
OE#
CE#
WE#
V
PP
RP#
WP#
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IPPLK
IL
V
IPPH
t
AS
t
AH
t
WPH
t
RS
t
WP
t
WOS
t
CS
t
WB
CMD
CMD/
DATA
DQ0–DQ15
V
OH
V
OL
t
RHH
t
VPS
t
VPPH
STATUS
High-Z
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PDF描述 |
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