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参数资料
| 型号： | MT28F320A18 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 闪存 |
| 文件页数： | 20/37页 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | MT28F320A18 |
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2 MEG x 16
1.8V ENHANCED+ BOOT BLOCK FLASH MEMORY
PRELIMINARY
2 Meg x 16, 1.8V Enhanced+ Boot Block Flash Memory
MT28F320A18_3.fm - Rev. 3, Pub. 9/2002
2002, Micron Technology Inc.
20
Figure 4: Automated Word
Programming Flowchart
Notes: 1.
Full status register check can be done after each word or after a sequence of words.
2.
SR3 must be cleared before attempting additional PROGRAM/ERASE operations.
3.
SR5 is cleared only by the CLEAR STATUS REGISTER command in cases where multiple blocks are erased before
full status is checked.
YES
NO
Full Status Register
Check (optional)
NO
YES
PROGRAM
SUSPEND
SR7 = 1
Issue PROGRAM SETUP
Command and
Word Address
Start
Word Program Passed
V
PP
Range Error
Word Program Failed
FULL STATUS REGISTER CHECK FLOW
Read Status Register
Bits
Issue Word Address
and Word Data
PROGRAM
SUSPEND Loop
1
YES
NO
SR1 = 0
YES
NO
SR3 = 0
YES
NO
SR4 = 0
Word Program
Completed
Read Status Register
Bits
PROGRAM Attempted
on a Locked Block
BUS
OPERATION
WRITE
COMMAND
WRITE
PROGRAM
SETUP
WRITE DATA
COMMENTS
Data = 40h or 10h
Addr = Address of word to
be programmed
Data = Word to be
programmed
Addr = Address of word to
be programmed
Status register data
Toggle OE# or CE# to
update status register.
Check SR7
1 = Ready, 0 = Busy
WRITE
READ
Standby
Repeat for subsequent words.
Write FFh after the last word programming operation to
return the device to read array mode.
BUS
OPERATION COMMAND
COMMENTS
Standby
Check SR1
1 = Detect locked block
Check SR3
1 = Detect V
PP
LOW
Check SR4
3
1 = Word program error
Standby
Standby
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PDF描述 |
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