收藏本站
参数资料
型号： MT28F320A18
厂商： Micron Technology, Inc.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 闪存
文件页数： 2/37页
文件大小： 558K
代理商： MT28F320A18
2 MEG x 16
1.8V ENHANCED+ BOOT BLOCK FLASH MEMORY
PRELIMINARY
2 Meg x 16, 1.8V Enhanced+ Boot Block Flash Memory
MT28F320A18_3.fm - Rev. 3, Pub. 9/2002
2002, Micron Technology Inc.
2
GENERAL DESCRIPTION
The MT28F320A18 is a nonvolatile electrically
block-erasable (Flash) memory containing eight 4K-
word parameter blocks and sixty-three 32K-word main
blocks.
The MT28F320A18 allows soft protection for blocks,
as read only, by configuring soft protection registers
with dedicated command sequences. For security pur-
poses, a 128-bit chip protection register is provided.
The embedded WORD WRITE and BLOCK ERASE
functions are fully automated by an on-chip write state
machine (WSM). An on-chip status register can be
used to monitor the WSM status and to determine the
progress of the PROGRAM/ERASE task.
The ERASE/PROGRAM SUSPEND functionality
allows compatibility with existing EEPROM emulation
software packages.
The device is manufactured using 0.15μm process
technology.
Please refer to Micron’s Web site (
www.micron.com/
flash
) for the latest data sheet.
ARCHITECTURE AND MEMORY
ORGANIZATION
The MT28F320A18 contains eight 4K-word parame-
ter blocks and sixty-three 32K-word main blocks.
DEVICE MARKING
Due to the size of the package, Micron’s standard
part number is not printed on the top of each device.
Instead, an abbreviated device mark comprised of a
five-digit alphanumeric code is used. The abbreviated
device marks are cross referenced to Micron part num-
bers in Table 1.
Table 1:
Cross Reference for Abbreviated Device Marks
PART NUMBER
PRODUCT
MARKING
FW722
FW723
SAMPLE
MARKING
FX722
FX723
MECHANICAL
SAMPLE
MARKING
FY722
FY723
MT28F320A18FF-70 BET
MT28F320A18FF-70 TET
相关PDF资料
PDF描述
MT2D18 1 Meg x 8 DRAM Module(5V，1M x 8 动态RAM模块)
MT46V16M4 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4组，双数据速率同步动态RAM)
MT46V4M16 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4组，双数据速率同步动态RAM)
MT46V8M8 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4组，双数据速率同步动态RAM)
MT46V2M32LG DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM
相关代理商/技术参数
参数描述
MT28F320J3 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY
MT28F320J3BS-11 ET 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT28F320J3BS-11 ET TR 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
MT28F320J3BS-11 GMET 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869
MT28F320J3BS-11 GMET TR 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。