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参数资料
| 型号： | MT42L256M32D4KP-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 86/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 8G（356M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页当前第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
MODE REGISTER READ
ted with a BST command, the effective burst length of the truncated burst should be
used for the BL value.
Figure 62: READ to MRR Timing – RL = 3, t MRR = 2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CK#
CK
BL/2 1
RL = 3
CA[9:0]
Bank m
col addr a
Col addr a
Register
B
Register
B
t MRR
=2
CMD
READ
MRR
NOP 2
Valid
DQS#
DQS
DQ[7:0]
DQ[MAX:8]
D OUT A0
D OUT A0
D OUT A1
D OUT A1
D OUT A2
D OUT A2
D OUT A3
D OUT A3
D OUT B
Transitioning data
Undefined
Notes:
1. The minimum number of clock cycles from the burst READ command to the MRR com-
mand is BL/2.
2. Only the NOP command is supported during t MRR.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MT42L256M32D4KP-MS | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX32 LPDDR2 PLASTIC IND TEMP GREEN WFBGA 1.2V - Bulk |
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