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参数资料
| 型号： | MT46V32M4TG-75Z |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 30/68页 |
| 文件大小： | 2547K |
| 代理商： | MT46V32M4TG-75Z |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页当前第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页
30
128Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
128Mx4x8x16DDR_C.p65
–
Rev. C; Pub. 4/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
128Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
PRELIMINARY
Figure 18
Random WRITE Cycles
t
DQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
b
Bank,
Col
x
Bank,
Col
n
Bank,
Col
g
WRITE
Bank,
Col
a
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
NOTE
: 1. DI
b
, etc. = data-in for column
b
, etc.
2.
b'
, etc. = the next data-in following DI
b
, etc., according to the programmed burst order.
3. Programmed burst length = 2, 4, or 8 in cases shown.
4. Each WRITE command may be to any bank.
T1n
T3n
T5n
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
b'
DI
x
DI
x'
DI
n
DI
n'
DI
a
DI
a'
DI
g
DI
g'
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M4TG-75ZL | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M4TG-8 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M4TG-8L | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V4M32 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V32M4TG-75ZL | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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