- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录480 > MTB30P06VT4 (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MTB30P06VT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MTB30P06VT4OS |
MTB30P06V, MTBV30P06V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
60
T J = 25 ° C
8V
60
V DS ≥ 10 V
100 ° C
50
V GS = 10V
9V
7V
50
25 ° C
40
40
30
20
10
6V
5V
30
20
10
T J = -55 ° C
0
0
2
4
6
8
10
4V
12
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.1
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.08
T J = 25 ° C
0.07
V GS = 10 V
0.08
0.06
25 ° C
0.06
15 V
- 55 ° C
0.04
0.05
0.02
0
0
10
20 30 40
50
60
0.04
0
10
20 30 40
50
60
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = 10 V
I D = 15 A
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
100 ° C
0
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
175
1
0
10 20 30 40
50
60
70
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB50P03HDLT4 | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
| MTB75N05HDT4 | MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 |
| MTCBA-C1-N3 | MODEM CDMA RS232 DUAL |
| MTCBA-C1-U-N2 | MODEM CDMA USB 800MHZ 1.9GHZ |
| MTCBA-C1X-N2-NAM | MODEM CDMA 800MHZ 1.9GHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTB30P06VT4G | 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTB30SA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB30SAM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB30SAV | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB30SAVM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。