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参数资料
| 型号： | MTB30P06VT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MTB30P06VT4OS |
MTB30P06V, MTBV30P06V
SAFE OPERATING AREA
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
450
400
350
I D = 30 A
100
10 m s
300
250
200
10
100 m s
150
1 ms
10 ms
dc
100
50
1
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.00
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.10
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.05
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
3
2.5
2.0
R q JA = 50 ° C/W
Board material = 0.065 mil FR ? 4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size 9 450 mils x 350 mils
I S
t a
t rr
t b
1.5
1
TIME
0.5
t p
0.25 I S
I S
0
25
50
75 100 125
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
150
175
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
Figure 15. D 2 PAK Power Derating Curve
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB50P03HDLT4 | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
| MTB75N05HDT4 | MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 |
| MTCBA-C1-N3 | MODEM CDMA RS232 DUAL |
| MTCBA-C1-U-N2 | MODEM CDMA USB 800MHZ 1.9GHZ |
| MTCBA-C1X-N2-NAM | MODEM CDMA 800MHZ 1.9GHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTB30P06VT4G | 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTB30SA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB30SAM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB30SAV | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB30SAVM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
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