型号: | MTB6N60E1 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS |
中文描述: | 6 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 9/10页 |
文件大小: | 192K |
代理商: | MTB6N60E1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MTC311 | PC-ATA Solid State Disk Card(微机异步通信终端适配器的固态磁盘卡) |
MTD10N05E | TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
MTD3302 | SINGLE TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS RDS(on) = 10 mohm |
MTDF1C02HD | COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET |
MTE125N20E | TMOS POWER FET 125 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.015 OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MTB6N60ET4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MTB75N03HDL | 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB |
MTB75N05HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 75 AMPERES 50 VOLTS |
MTB75N05HDT4 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
MTB75N06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS |