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参数资料
| 型号： | MTD20P03HDL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | MTD20P03HDL1 |
MTD20P03HDL
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
03
25
14
0
8
16
24
40
Figure 1. OnRegion Characteristics
0
8
24
32
40
Figure 2. Transfer Characteristics
0
8
16
28
40
0.06
0.08
0.12
0.14
0.16
0.06
0.08
0.12
0.16
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.8
0.9
1.0
1.1
1.3
1
100
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
32
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
5.5
VDS ≥ 5 V
100
°C
25
°C
0.10
VGS = 5 V
55
°C
25
°C
016
32
40
0.14
0.10
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1.2
0
4
12
28
32
20
VGS = 0 V
TJ = 125°C
TJ = 55°C
TJ = 100°C
TJ = 25°C
VGS = 5 V
ID = 10 A
1.5
2.5
3.5
4.5
10
824
16
VGS = 10 V
8 V
6 V
2.5 V
3 V
TJ = 25°C
4 V
3.5 V
4.5 V
5 V
100
°C
16
412
24
36
12
28
36
20
32
8
24
420
10 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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