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参数资料
| 型号： | MTD20P03HDL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | MTD20P03HDL1 |
MTD20P03HDL
http://onsemi.com
8
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C01
ISSUE O
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.245
5.97
6.22
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.018
0.023
0.46
0.58
F
0.037
0.045
0.94
1.14
G
0.180 BSC
4.58 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.102
0.114
2.60
2.89
L
0.090 BSC
2.29 BSC
R
0.180
0.215
4.57
5.45
S
0.025
0.040
0.63
1.01
U
0.020
0.51
V
0.035
0.050
0.89
1.27
Z
0.155
3.93
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T SEATING
PLANE
Z
12
3
4
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD20P03HDLT4 | 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD20P03HDLG | 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD20P06HDLT4G | 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD20P06HDLG | 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD20P06HDLT4 | 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD20P03HDL1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
| MTD20P03HDLT4 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTD20P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM |
| MTD20P06HDL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET P LOGIC D-PAK |
| MTD20P06HDLT4 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 15A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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