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参数资料
| 型号： | MTD5P06VT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MTD5P06VT4OSDKR |
MTD5P06V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
8
V GS = 10V
T J = 25 ° C
9V
8V
7V
10
9
8
V DS ≥ 10 V
T J = ?55 ° C
25 ° C
100 ° C
7
6
6V
6
5
4
2
5V
4V
4
3
2
1
0
0
1
2 3 4 5
6
7
8
9
0
2
3 4
5 6 7
8
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.6
0.55
0.5
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.4
0.35
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
0.45
0.4
25 ° C
0.3
15 V
0.35
0.3
0.25
? 55 ° C
0.25
0.2
1
2
3
4 5 6
7
8
9
10
0.2
1
2
3
4 5
6
7
8
9
10
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V GS = 10 V
I D = 2.5 A
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
0.2
?50
?25
0 25 50 75 100
125
150
175
1
0
10 20 30 40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD6000PT-T | PHOTOTRANS 880NM PIGTAIL DOME |
| MTD6100PT | PHOTO DIODE 880NM DOME CLR |
| MTD6N15T4 | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK |
| MTD6N20ET4 | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK |
| MTD6P10E | MOSFET P-CH 100V 6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD5P06VT4G | 功能描述:MOSFET PFET DPAK 60V 5A 450mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD5P06VT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| MTD5P06VT4GV | 功能描述:MOSFET Single P-Ch 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD6000PT | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Photo Transistor |
| MTD6000PTT | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Peak Sensitivity Wavelength: 880nm |
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