- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21751 > MTD6N15T4GV (ON Semiconductor)IC NFET 150V 6A 300MO DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MTD6N15T4GV |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NFET 150V 6A 300MO DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MTD6N15
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage (V GS = 0 Vdc, I D = 0.25 mAdc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = Rated V DSS , V GS = 0 Vdc)
T J = 125 ° C
Gate ? Body Leakage Current, Forward (V GSF = 20 Vdc, V DS = 0)
Gate ? Body Leakage Current, Reverse (V GSR = 20 Vdc, V DS = 0)
V (BR)DSS
I DSS
I GSSF
I GSSR
150
?
?
?
?
?
10
100
100
100
Vdc
m Adc
nAdc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (V DS = V GS , I D = 1.0 mAdc)
T J = 100 ° C
Static Drain ? Source On ? Resistance (V GS = 10 Vdc, I D = 3.0 Adc)
Drain ? Source On ? Voltage (V GS = 10 Vdc)
(I D = 6.0 Adc)
(I D = 3.0 Adc, T J = 100 ° C)
Forward Transconductance (V DS = 15 Vdc, I D = 3.0 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
V DS(on)
g FS
2.0
1.5
?
?
?
2.5
4.5
4.0
0.3
1.8
1.5
?
Vdc
W
Vdc
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
(See Figure 11)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
1200
500
120
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS* (T J = 100 ° C)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
50
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 25 Vdc, I D = 3.0 Adc, R G = 50 W )
(See Figures 13 and 14)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
180
200
100
Total Gate Charge
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DS = 0.8 Rated V DSS ,
I D = Rated I D , V GS = 10 Vdc)
(See Figure 12)
Q g
Q gs
Q gd
15 (Typ)
8.0 (Typ)
7.0 (Typ)
30
?
?
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS*
Forward On ? Voltage
V SD
1.3 (Typ)
2.0
Vdc
Forward Turn ? On Time
(I S = 6.0 Adc, di/dt = 25 A/ m s, V GS = 0 Vdc)
t on
Limited by stray inductance
Reverse Recovery Time
t rr
325 (Typ)
?
ns
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
2.5
2
25
20
1.5
1
0.5
15
10
5
T C
0
0
25
50
75
100
125
150
T A
T C
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Power Derating
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC08EA180G-TF | CAP MICA 18PF 100V 2% 0805 |
| MC08EA150G-TF | CAP MICA 15PF 100V 2% 0805 |
| CD10CDO30CO3F | CAP MICA 3PF 500V RADIAL |
| MC18FD361J-TF | CAP MICA 360PF 500V 5% 1812 |
| MC18FD331J-TF | CAP MICA 330PF 500V 5% 1812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD6N20 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| MTD6N20E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTD6N20E1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTD6N20ET4 | 功能描述:MOSFET 200V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD6N20ET4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。